기술요약 캐리어 위로 양면 점착테이프를 테이핑하는 단계(S10)와, 상기 양면 점착테이프 위로 실리콘 칩을 배열하는 단계(S20)와,상기 배열된 실리콘 칩을 에폭시 몰딩 컴파운드로 몰딩하는 단계(S30)와, 상기 캐리어와 양면 점착테이프를 실리콘 칩으로부터 분리하는 단계(S60)와, 상기 캐리어와 양면 점착테이프가 분리된 위치의 실리콘 칩에 재분배 층을 형성하는 단계(S70)와, 상기 재분배 층에 시그널을 전달하기 위한 솔더볼을 형성하는 단계(S80)와, 상기 솔더볼을 형성하는 단계(S80)를 거친 웨이퍼를 실리콘 칩 단위의 크기로 절단하는 다이싱 단계(S90)로 이루어진 것으로서, 상기 몰딩하는 단계(S30) 직후, 에폭시 몰딩 컴파운드 위로 접착층을 형성하는 단계(S40)와, 상기 접착층 위로 휨방지층을 형성하는 단계(S50)가 더 부가되는 것임을 특징으로 하는 웨이퍼의 휨 발생 방지 기능을 강화시킨팬 아웃 웨이퍼 레벨 패키징 공정에 관한 기술