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반도체소자및이의제조방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

반도체소자및이의제조방법

보유기관 및 연구자 : 조주영

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 선택적재성장공정을이용하여리세스구조를형성하고, 오믹특성을향상시킬수있는 반도체소자및이의제조방법
✓ 오믹 특성 – 전압과 전류의 특성이 ‘옴의 법칙’을 따르는 금속과 반도체와의 접촉

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

건식 또는 습식 식각 공정을 이용하여AlGaN 배리어층의 일부 두께를
감소시키는 리세스 식각 공정이 적용된 HEMT 소자 (Top-down 방식)
⇒ 식각공정에 의한 GaN 채널층 손상 및 표면 뷸균일로 인한 누설전류 증가

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향: - 고전자이동도트랜지스터(HEMT)의 시장규모는 2017년28억달러에서2030년까지5%의
연평균성장률(CAGR)을 보일것으로전망됨
- 최근 선진국의 초고주파 기술과관련한 HEMT의 구조와동작에 관한 연구가 활발히이루어
지고 있으며그에 따른 초고주파집적회로의 주파수 동작영역이 계속넓어지고 있음
- HEMT는양자컴퓨터와 차세대 6G 무선통신등 다양한 분야에서 응용할수 있어 그확장성이
매우 큰기술이며 양자컴퓨터의 실용화를 앞당길 수 있는기술로 기대됨

특장점

균일한두께의배리어층형성可: Bottom-up 방식으로리세스구조물을 형성하여리세스식각공정시발생하는식각 손상에의한소자성능저하를방지함 → 균일한두께의배리어층형성可