플렉서블 VLSI 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 VLSI 소자
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- 기술요약
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본 발명에 따른 플렉서블 VLSI 소자 제조방법은 순차적으로 적층된 하부 실리콘층, 절연층 및 상부 실리콘층으로 이루어진 SOI(Silicon-On-Insulator)의 상부 실리콘층 상에 VLSI소자를 제조하는 단계, 상기 SOI의 하부 실리콘층을 제거하는 단계; 및 상기 VLSI 소자를 플렉서블 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 플렉서블 VLSI 소자 제조방법은 플렉서블 기판상에 우수한 정렬도를 갖는 대면적 소자를 경제적인 방식으로 제조할 수 있다. 또한 본 발명에 따라 제조된 플렉서블 VLSI 소자는 실리콘 기판 상에서 제조된 후 다시 플렉서블 기판에 접착되므로, 제조에 있어서의 공정 한계가 없으며, 소자의 우수한 정렬도를 플렉서블 기판에서도 그대로 유지할 수 있다.
SOI 기판 상에 제조된 후 하부 실리콘층이 제거됨으로써 플렉서블 특성을 가지