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기술개발 목적
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웹에디터 시작
> > > -현재 나노 와이어를 제작하는 방법은 탑 다운 방식과 바텀 업 방식으로, 탑 다운 방식은 일정 크기 이하의 나노 와이어들을 형성하기 어려워 고집적화를 구현하는 것이 용이하지 않음<br>-이를 극복하기 위해 이중 패터닝 방식이 개발되었으나 공정이 복잡함<br>-바텀 업 방식은 원하는 위치에 정렬된 형태로 나노 와이어들을 형성하기가 쉽지 않을 뿐만 아니라, 기판 상에 나노와이어를 수직하게 성장시켜 다이오드 및 메모리 유닛을 형성할 경우, 계속해서 동일 기판 위에 촉매 패터닝 및 고온 열처리 공정을 수행해야 하므로 공정이 어려움 > >
웹 에디터 끝
기술의 효과
-바텀 업 방식으로 나노 와이어들을 성장시킨 후, 이를 이동하여 기판과 평행하게 배치하고 나노 와이어들을 식각 마스크로 사용하여 전극 패턴을 형성함으로써, 크로스 포인트 어레이 타입의 메모리 유닛을 간단한 공정으로 제조할 수 있음
-또한, 나노 와이어를 식각 마스크로 사용하여 다이오드 및 도전막을 식각함으로써 하부 전극 및 워드 라인을 형성하고, 이와 유사하게 나노 와이어를 식각 마스크로 사용하여 상부 전극 및 비트 라인을 형성하여 크로스 포인트 어레이 타입의 메모리 장치를 간단한 공정으로 제조할 수 있음
-뿐만 아니라, 메모리 장치를 수직하게 적층함으로써, 복수 개의 메모리 장치가 적층된 적층형 메모리 장치를 간단한 공정으로 제조할 수 있음
적용 산업분야
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