<특허 요약>

<기술개요>

· 본 기술은 산소의 함량을 줄이고, 바나듐 산화물과 탄소 화합물을 혼합 후 고에너지 밀링장치를 통해 입자의 크기를 고에너지 밀링으로 미세화하고 진공 열처리 후 탄화환원 반응시켜 형성한 저산소 바나듐 탄화물 제조 기술임 

<기술개발 배경>

· 바나듐 금속은 탄소, 질소, 또는 산소와 같은 비금속 성분과의 높은 친화도로 인해 탄화물, 질화물, 또는 산화물 형성이 용이한 물질임

· 공공(vacancy)으로의 산소 침입이 잘 일어나 V(CxO1-x)로의 변화가 쉽게 일어나기 때문에 저산소 바나듐 탄화물을 합성하는 것이 매우 어려운 것으로 알려짐

<기술내용 및 차별성>

· 산소 함유량이 적고, 입자의 크기가 작고, 물성이 우수하고, 맥스 전구체, 초경합금소재 원료, 촉매, 또는 반도체 소재 등의 다양한 용도에 사용될 수 있음

· 공정 안전성이 우수하고 대량 생산이 가능하여 경제적임

· 초경합금소재 원료, 촉매, 또는 반도체 소재 등의 다양한 용도 등으로 사용 가능

<비즈니스 아이디어>

· 산업 원료 촉매

· 반도체 소자

<시장동향>

· 국내 SiC 전력반도체 소자 시장규모는 2022년 1억 달러를 넘어섰으며 2023년 1억 4,500만 달러에 달할 것으로 추정되며, 이후 연평균 28% 성장하여 2030년 8억 달러(약 1조원)를 돌파할 것으로 예측

· ICT분야에서 수요가 매우 크게 증가하고 있으며, 다국적 기업이 참여한 시장으로, 시장 오름세는 한동안 지속될 전망임