본 발명에 따른 갈륨면 4원계 질화물 전력반도체소자는 기판 위에 형성된 질화갈륨 버퍼층, 질화갈륨 버퍼층 위 에 형성된 4원계 질화물층, 상기 4원계 질화물층 위에 형성된 질화갈륨 캡층을 포함하고, 4원계 질화물층의 조성 비를 조절함으로써 분극 방향이 4원계 질화물층의 상면을 향하도록 형성하여 2차원 전자가스가 상기 4원계 질화 물층의 상단에 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기 4원계 질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의 원소로 이루어지 고, In과 Al은 소정의 조성비를 가짐으로써 상기 4원계 질화물층에 압축응력이 작용하여 상기 4원계 질화물층의 분극이 상부 방향을 향하도록 조절된다.