<특허 요약>

본 발명은 플라즈마 점화 장치를 포함하는 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 진공 챔버; 상기 진공 챔버에 플 라즈마 생성 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 진공 챔버에 플라즈마를 공급하기 위한 캐비티를 구비하는 플라 즈마 점화 장치; 상기 가스 공급부로 공급되는 플라즈마 생성 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위한 전원 공급부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

<기술개요>

○플라즈마 공정을 적용하여 비정질 반도체 박막으로부터 균일한 결정성을 갖는 반도체 양자점을 생성하고 그 크기를 제어할 수 있는 반도체 양자점의 생성과 크기 제어 방법 및 시스템

○기존 고에너지 이온빔 대신 플라즈마 공정을 통해 반도체 양자점 생성 및 크기 조절

<기술개발 배경>

○양자점은 전기적 및 광학적 특성을 나타내는 나노입자로써 디스플레이, 반도체 분야에서 다양하게 활용됨

○반도체 물질로서의 나노입자를 양자점을 형성하는데 비정질 기판에서는 적용되기 어려움

○기존 반도체 양자점 생성 기술로는 양자점의 크기를 조절하면서 결정성을 유지하기 어려움

<기술내용 및 차별성>

○플라즈마 공정에 의해 반도체 비정질 박막으로부터 반도체 양자점을 생성하고 그 크기를 쉽게 제어하는 것이 가능함

○플라즈마 공정을 통해 결정화가 균일한 양자점을 생성할 수 있고, 양자점의 생성을 위한 양산성을 높이고 환경에 대한 유해한 영향을 저감할 수 있음

<비즈니스 아이디어>

○반도체 소재 및 디스플레이 산업에 적용 가능한 기술(플라즈마 공정, 양자점 디스플레이) 

<시장 동향>