<특허 요약>

본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로서, 플라즈마를 발생시키기 위한 챔버, 기판을 지지하는 기판 지 지부, 상기 기판 상에 반도체층을 증착하기 위한 반응가스 또는 전구체를 상기 챔버 내에 주입하는 가스 주입부, 상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 제1 RF 전력 공급부, 상기 챔버 내에 플라즈마가 발생하는 공간과 상기 기판 사이에 그리드 구조물을 포함하고, 상기 그리드 구조물에 소정의 시간동안 음의 전압을 공급하여 상기 챔버 내의 상기 플라즈마가 발생하는 공간에 생성된 반도체 입자가 포획되고 결정화되는 것을 특징으로 한다.

<기술개요>

○플라즈마 공정을 적용하여 비정질 반도체 박막으로부터 균일한 결정성을 갖는 반도체 양자점을 생성하고 그 크기를 제어할 수 있는 반도체 양자점의 생성과 크기 제어 방법 및 시스템

○기존 고에너지 이온빔 대신 플라즈마 공정을 통해 반도체 양자점 생성 및 크기 조절

<기술개발 배경>

○양자점은 전기적 및 광학적 특성을 나타내는 나노입자로써 디스플레이, 반도체 분야에서 다양하게 활용됨

○반도체 물질로서의 나노입자를 양자점을 형성하는데 비정질 기판에서는 적용되기 어려움

○기존 반도체 양자점 생성 기술로는 양자점의 크기를 조절하면서 결정성을 유지하기 어려움

<기술내용 및 차별성>

○플라즈마 공정에 의해 반도체 비정질 박막으로부터 반도체 양자점을 생성하고 그 크기를 쉽게 제어하는 것이 가능함

○플라즈마 공정을 통해 결정화가 균일한 양자점을 생성할 수 있고, 양자점의 생성을 위한 양산성을 높이고 환경에 대한 유해한 영향을 저감할 수 있음

<비즈니스 아이디어>

○반도체 소재 및 디스플레이 산업에 적용 가능한 기술(플라즈마 공정, 양자점 디스플레이) 

<시장동향>

○세계 플라즈마 식각 시스템 시장 규모는 2022년 71억 4,910만 달러였으며, 연평균 성장률 12.5%로 2031년 215억 1,128만 달러에 도달할 것으로 예상됨

○플라즈마 식각 시스템 시장은 주로 반도체 부문이 주도하고 있으며, 기술 발전으로 인해 집적 회로에 대한 수요가 증가하고 있음