<특허 요약>

본 발명의 반도체 양자점의 생성 방법에 관한 것으로서, 기판 상부에 비정질 반도체 박막을 증착하는 단계; 상기 비정질 반도체 박막 상부에 플라즈마를 형성하고 이로부터 상기 비정질 반도체 박막에 이온 에너지를 전달하여 결정질 나노입자를 생성하는 단계; 상기 비정질 반도체 박막과 상기 결정질 나노입자에 이온 에너지를 더 전달하 여 상기 결정질 나노입자를 성장시키는 단계; 상기 결정질 나노입자가 성장하여 양자점이 생성되는 단계;를 포함 하는 것을 특징으로 한다. 

<기술 개요>

○플라즈마 공정을 적용하여 비정질 반도체 박막으로부터 균일한 결정성을 갖는 반도체 양자점을 생성하고 그 크기를 제어할 수 있는 반도체 양자점의 생성과 크기 제어 방법 및 시스템

○기존 고에너지 이온빔 대신 플라즈마 공정을 통해 반도체 양자점 생성 및 크기 조절

<기술개발 배경>

○양자점은 전기적 및 광학적 특성을 나타내는 나노입자로써 디스플레이, 반도체 분야에서 다양하게 활용됨

○반도체 물질로서의 나노입자를 양자점을 형성하는데 비정질 기판에서는 적용되기 어려움

○기존 반도체 양자점 생성 기술로는 양자점의 크기를 조절하면서 결정성을 유지하기 어려움

<기술내용 및 차별성>

○플라즈마 공정에 의해 반도체 비정질 박막으로부터 반도체 양자점을 생성하고 그 크기를 쉽게 제어하는 것이 가능함

○플라즈마 공정을 통해 결정화가 균일한 양자점을 생성할 수 있고, 양자점의 생성을 위한 양산성을 높이고 환경에 대한 유해한 영향을 저감할 수 있음

<비즈니스 아이디어>

○반도체 소재 및 디스플레이 산업에 적용 가능한 기술(플라즈마 공정, 양자점 디스플레이) 

<시장동향>

○세계 플라즈마 식각 시스템 시장 규모는 2022년 71억 4,910만 달러였으며, 연평균 성장률 12.5%로 2031년 215억 1,128만 달러에 도달할 것으로 예상됨

○플라즈마 식각 시스템 시장은 주로 반도체 부문이 주도하고 있으며, 기술 발전으로 인해 집적 회로에 대한 수요가 증가하고 있음