본 발명은 고품위 질화물 반도체 성장방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 고품위 질화물 반도체 성장방법은 기판 또는 박막 상에 유전체 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 유 전체 마스크층 상에 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 고분자층 상에 O2 가스에 대한 에칭 저항성이 우수한 레 진 또는 금속-유기물 전구체로 이루어지는 패턴층을 형성하는 단계와, 건식 식각으로 상기 패턴층 하부의 고분자 층을 식각하는 단계와, 건식 식각으로 상기 유전체 마스크층을 식각하여, 상기 기판 또는 박막이 일부 노출되도 록 유전체 마스크층의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층의 패턴 상부에 있는 고분자층 및 패턴층을 제거하는 단계와, 일부 노출된 상기 기판의 상면에 질화물 반도체층을 측방향으로 성장시키는 단계를 포함함으로 써, 사파이어 또는 Si 또는 기판과 질화물 반도체의 격자상수 불일치로 인해서 발생되는 전위 결함 및 휨이나 깨 짐 등과 같은 변형을 최소화하여, 최적화된 고품위 질화물 반도체의 성장이 가능한 효과가 있다.