본 발명은 스퍼터링 타겟용 탄탈륨 소결체 제조방법에 관한 것으로서, 탄탈륨(Ta) 분말을 그라파이트 소재로 된 몰드 내에 충진하는 단계와, 탄탈륨 분말이 충진된 몰드를 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버 내에 장착하는 단계와, 챔버 내부를 진공화하는 단계와, 몰드 내의 탄탄륨에 30 내지 40MPa의 가압력을 유지하면서, 80℃/min 내지 120℃/min의 승온 속도로 승온시키는 단계와, 탄탈륨의 온도가 1400 내지 1750℃ 범위 내에서 설정된 목표온도에 도달하면 목표온도를 2 내지 10분 동안 더 유지하여 성형하는 단계와, 챔버 내부를 냉각하는 단계를 포함한다. 이러한 스퍼터링 타겟용 탄탈륨 소결체 제조방법에 의하면, 타겟용에 적합하게 입자의 미세화가 가능하고 균질한 조직과 고밀도를 갖는 탄탈륨 스퍼터링 타겟재를 제공할 수 있다.
