본 발명은 하드마스크용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 공정에 적용 가능한 식각 선택비가 우수한 하드마스크막을 형성하기 위하여, 실리콘과 탄화수소 성분을 포함하는 가교 결합이 용이한 선형 구조의 화합물과 가교밀도 보조수지, 촉매제 및 유기용매를 포함하는 하드마스크용 조성물에 관한 것이다. 본 발명에서는 포토레지스트 패턴 형성 전에 피식각층 상부에 상기 하드마스크용 조성물을 도포한 다음 경화함으로써, 피식각층에 대한 포토레지스트 패턴의 식각 선택비를 확보할 수 있는 하드마스크막을 형성할 수 있다.
