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메모리 장치 및 이를 갖는 메모리 시스템[MEMORY DEVICES AND MEMORY SYSTEMS HAVING THE SAME]

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최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

기술 정보
  • 기술분야

    반도체

  • 현재 권리자

    삼성전자 주식회사

  • Main IPC

     G11C-11/4096

  • 존속기간 만료예정일

    2033-03-13

  • 출원번호
    (출원일)

    10-2013-0026769
    (2013-03-13)
    (2013-03-13)

  • 등록번호
    (등록일)

    10-2048217
    (2019-11-19)

기술개발 목적
-DRAM과 같은 메모리 장치의 제조 공정이 점점 스케일링 다운되면서 DRAM의 기입 회복 시간에 관한 사양을 만족시키기가 점점 어려워지는 문제가 있음
-이러한 스케일링 다운은 DRAM 셀의 스토리지 커패시터와 액세스 트랜지스터 사이를 연결하는 컨택 저항의 값이 증가하게 되고, 액세스 트랜지스터의 온전류도 감소하게 됨
-다라서, 비트라인으로부터 스토리지 셀까지의 전체 저항이 점점 증가하게 되어 주어진 기입 회복 시간 동안에 스토리지 셀을 완전히 충전시키기가 점점 더 어려워짐
-따라서, 결과적으로 메모리 장치의 신뢰성이 감소하는 문제가 있음
기술의 효과
-데이터를 기입하는 셀 어레이 및 스토리지 유닛을 포함하여 기입 회복 시간을 위반하는 데이터와 어드레스를 저장하고, 기입 회복 시간을 위반하는 어드레스에 대한 독출 커맨드가 오면 셀 어레이로부터 데이터를 독출하지 않고, 스토리지 유닛으로부터 데이터를 독출함
-따라서, 메모리 장치의 셀 어레이가 기입 회복 시간의 사양을 만족하지 못하더라도 메모리 장치는 정확한 데이터를 출력할 수 있어 신뢰성을 향상시킬 수 있음
적용 산업분야

*출처 : 삼성전자
반도체

시장규모 및 전망

*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨

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