반도체 소자의 홀 패턴들을 형성하는 방법[Method of Forming Hole patterns of Semiconductor Devices]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L-021/027
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존속기간 만료예정일
2033-02-07
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출원번호
(출원일)10-2013-0014079
(2013-02-07)
(2013-02-07) -
등록번호
(등록일)10-2037874
(2019-10-23)
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기술분야
- 기술개발 목적
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- 포토리소그래피 공정의 최저 해상 능력보다 작은 피치 또는 직경을 갖는 홀 패턴들을 형성하는 방법을 제공함
- 다수의 홀 패턴들을 다양한 물질들의 식각 선택비를 이용하여 작은 피치를 갖도록 형성하는 이 중 패터닝 방법을 제공함
- 기술의 효과
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- 반도체 소자의 홀 패턴들을 형성하는 방법은, 포토리소그래피 공정을 통해 형성할 수 있는 최 저 피치 또는 최저 직경의 홀 패턴 레이아웃을 기반으로, 두 배 이상의 홀 패턴 밀도(hole patt ern density)를 갖는 반도체 소자의 홀 패턴들을 형성하는 방법을 제공할 수 있음
- 고가의 포토리소그래피 설비를 이용하지 않고 높은 집적도를 갖는 반도체 소자를 제공할 수 있 음
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장 하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨