발광소자 및 그 제조방법[Light Emitting Device and Manufacturing Method thereof]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L-033/36
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존속기간 만료예정일
2032-03-21
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출원번호
(출원일)10-2012-0028934
(2012-03-21)
(2012-03-21) -
등록번호
(등록일)10-1285309
(2013-07-05)
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기술분야
- 기술개발 목적
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- 전류 흐름이 확대되고 전기적 특성이 개선된 발광소자를 제공함
- 컨택 저항이 감소되고 광 출력이 향상된 발광소자 제조방법을 제공함
- 반도체 발광소자 제조방법은, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 그 사이에 배치되 는 활성층을 포함하는 발광구조물을 마련하는 단계와, 상기 발광구조물의 적어도 일면 상에 그 래파이트층을 형성하는 단계와, 상기 그래파이트층을 산소 플라즈마 처리하여 그래파이트 컨택 층을 형성하는 단계를 포함함
- 기술의 효과
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- 전류 흐름이 확대되고 전기적 특성이 개선된 발광소자 및 컨택 저항이 감소되고 광 출력이 향 상된 발광소자 제조방법을 제공할 수 있음
- 그래핀 발광소자는 종래의 발광소자보다 발광 효율이 향상될 수 있으며, 그래핀으로 발광소자 를 구현하여 플렉서블하고, 다양한 디자인의 발광 소자를 구현할 수 있음
- 발광구조물의 적어도 일면에 형성되는 그래파이트 컨택층과 동일한 탄소계열의 물질로 형성되 므로, 컨택 저항이 현저히 감소된 발광소자를 제공할 수 있음
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장 하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨