수발광 소자 및 그 제조 방법 [Light emitting and detecting device and manufacturing method thereof]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 33/00
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존속기간 만료예정일
2023-10-21
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출원번호
(출원일)10-2003-0073443
(2003.10.21) -
등록번호
(등록일)10-0624413
(2006.09.08)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 확산층을 이용하여 수발광 소자를 제조하는 공정에서의 문제점들을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 깊이를 지닌 도핑층을 형성시키는 이온 주입 공정에서 원하는 도핑 깊이의 제어가 어려울 뿐만 아니라 열처리하고 기판 내부로 확산시키는 과정에서 확산 속도 제어가 어려운 문제 가 있음 - 따라서, 원하는 깊이의 도핑 영역을 제어하여 원하는 수발광 소자를 용이하게 제조할 수 있는 방법이 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 수발광 소자 제조방법은, 기판 표면을 산화시켜 형성된 마이크로 배커티와 도펀트 확 산으로 양자 구조를 형성시켜 기판 내부로 기판과 반대 극성을 지닌 도핑층의 깊이 제어가 가능함 - 그리하여, 도핑층의 깊이를 수십 nm이하로 조절이 가능하며, p-n접합에 의한 양자 구속 효과에 의해 높은 양자 효율을 얻을 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행