불휘발성 메모리 장치 및 그것의 재프로그램 방법[NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND REPROGRAM METHOD THEREOF]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H04B-001/38
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존속기간 만료예정일
2033-05-27
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출원번호
(출원일)10-2013-0059856
(2013-05-27)
(2013-05-27) -
등록번호
(등록일)10-2053958
(2019-12-03)
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기술분야
- 기술개발 목적
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-반도체 메모리 장치는 휘발성 및 불휘발성으로 나뉘며, 불휘발성 반도체 메모리는 전원 공급이 중단되더라도 그 내용을 보존함. 따라서, 불휘발성 메모리 장치는 전원이 공급되었는지의 여부에 관계없이 보존되어야 할 내용을 저장하는데 쓰임
-최근, 스마트폰과 같은 모바일 장치들에 탑재하기 위해 불휘발성 메모리 장치의 고용량, 고속 입출력, 저전력화 기술들에 대한 수요가 많아져 이 기술들의 개발이 필요함
- 기술의 효과
- -재프로그램 동작시 소요되는 프로그램 펄스의 수를 저감할 수 있어 프로그램 속도를 높일 수 있으며, 프로그램 펄스의 감소분에 대응하는 시간을 산포의 개선에 사용할 수 있어 읽기 마진을 높일 수 있음
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨