고집적 셀 구조를 갖는 메모리 소자 및 그 제조방법 [Memory device having a highly integrated cell structure and fabrication method thereof]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 27/115
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존속기간 만료예정일
2025-07-01
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출원번호
(출원일)10-2005-0059414
(2005.07.01) -
등록번호
(등록일)10-0642645
(2006.10.30)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 고집적화의 특성을 가지고 있는 반도체 소자로 인해 메모리 소자의 집적도를 향상시 키는 과정의 문제를 해결하기 위해 창안된 것임 - 메모리 소자의 집적도를 향상시켜야하지만 그 과정에서 메모리 소자의 단위 셀들이 차지하는 면 적이 감소시키는데 한계가 있으며, 전극을 형성하기위한 공정에서의 여유도가 작아 공정상의 어려 움이 있음 - 따라서, 메모리 소자의 단위 셀들이 차지하는 면적을 감소시키기 위한 새로운 구조 및 방법이 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 메모리 소자는 저항체 패턴 및 배리어 패턴이 자기 정렬될 수 있어 정보 저장 요소가 비트라인과 정렬되도록 형성되므로 정보 저장 요소의 크기를 최소화시킬 수 있음 - 그 결과, 메모리 셀의 평면적을 최소화할 수 있어 고집적 셀 구조를 구현할 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행