반도체 소자 제조용 마스크 및 그 제조방법 [MASK FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 21/027
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존속기간 만료예정일
2024-10-05
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출원번호
(출원일)10-2004-0079042
(2004.10.05) -
등록번호
(등록일)10-0634437
(2006.10.09)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 반도체 소자 제조용 마스크 제조시 사용되는 노광기술의 문제점을 해결하기 위해 창 안된 것으로, 노광공정시 사용되는 광학계는 패턴의 크기, 모양 및 방향에 대하여 상대적으로 취약 한 패턴 형성 영역이 발생하여 노광조건이 취약해져 이러한 노광 한계를 극복할 수 있는 기술이 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 노광공정은 하프톤 패턴을 포함하는 제1마스크 레이어를 사용하여 1차 노광한 후, 바 이너리 패턴과 하프톤 패턴을 함께 포함하는 제2 마스크 레이어를 사용함으로써 하프톤막과 차광 막의 오정렬 및 레지스트레이션으로 인해 유발되는 1차 노광의 이상 노광을 2차 노광에서 보정할 수 있음 따라서, 디자인 룰의 감소와 레이아웃의 다양성을 극복하여 노광 공정의 공정마진을 극대화할 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행