반도체 소자들 및 그 형성 방법들 [SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 29/78
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존속기간 만료예정일
2024-06-04
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출원번호
(출원일)10-2004-0040986
(2004.06.04) -
등록번호
(등록일)10-0634372
(2006.10.09)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 기존의 반도체 핀 제조 방법을 이용하여 생산한 트랜지스터에서 발생하는 문제를 해 결하기위해 창안된 것으로, 생산된 삼중-게이트 핀 전계효과 트랜지스터는 험프 특성 즉, 실리콘 핀의 상부 모서리가 날카로울 뿐만 아니라, 다른 부분에 비해서 정전기가 집중되어 문턱전압 아래 의 전압에서도 트랜지스터가 턴-온 되는 문제가 발생함 - 따라서, 반도체 핀 형성하는 새로운 제조 방법이 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 새로운 핀 전계효과 트랜지스터 형성 방법은 산화방지막이 반도체 핀 측면들을 보호 하고 있어 열산화 공정에서 캐핑막이 반도체 핀의 상부면에 형성되며, 열산화 공정에서 반도체 핀 의 상부 측면들을 따라 버즈빅이 형성되어 곡선 프로파일을 가지게 되어 험프 특성을 갖지 않게됨 - 또한, 캐핑막은 4족원소 산화물로 이루어져 유전율이 낮아 캐핑막의 두께, 적층 구조의 높이를 줄일 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행