반도체 소자 및 그 제조 방법 [SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 29/78
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존속기간 만료예정일
2024-02-06
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출원번호
(출원일)10-2004-0008051
(2004.02.06) -
등록번호
(등록일)10-0634167
(2006.10.09)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 제조 공정 중 발생하는 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으 로, 비휘발성 메모리 소자 제조 공정 중 식각 공정, 스페이서 형성 공정에서 게이트층간절연막이 손상을 받아 비휘발성 메모리 소자의 신뢰성을 떨어트리는 문제가 발생함 - 더불어 논리 트랜지스터의 경우 동작 속도 향상을 위해 실리사이드 공정을 채택하지만, 높은 프 로그램 전압을 실리사이드막이 견뎌내지 못함 - 따라서, 신뢰성을 잃지 않으며 실리사이드막을 구비하지 않는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 연구가 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 비휘발성 메모리 소자 제조 공정을 이용하여 제조된 반도체는 메모리 셀의 전하보존 능력을 강화하는 보강절연막이 포함되어 실리사이드 방지 기능을 제공함 - 따라서, 단순한 공정으로 신뢰성이 향상된 메모리 셀을 제공할 뿐만 아니라, 실리사이드막을 선 택적으로 논리 트랜지스터에만 형성할 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행