반도체 메모리 장치 [SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
G11C 5/06
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존속기간 만료예정일
2027-02-06
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출원번호
(출원일)10-2007-0012204
(2007.02.06) -
등록번호
(등록일)10-0857743
(2008.09.03)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 반도체 메모리 장치의 집적도가 증가함에 따라, 하나의 비트 라인에 다수의 메모리 셀들이 연결됨에따라 발생하는 문제를 해결하기위해 창안된 것으로, 자체 커패시턴스를 가지는 메 모리 셀들로 인해 비트 라인 전체의 커패시턴스가 증가되어 읽기 동작 시 비트 라인 전압의 변화 량을 감소시킬 뿐 아니라 정확한 데이터의 감지를 방해함 - 따라서, 필요한 전력과 시간이 증가하기 때문에 시스템의 성능이 저하되어 하나의 비트라인에 연결된 메모리 셀의 개수를 줄임으로써 비트 라인의 길이를 줄이는 것이 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 반도체 메모리 장치는 감지 증폭기 및 프리차지 회로에 연결된 비트 라인의 길이를 줄임으로써 반도체 메모리 장치가 저전력을 소모하면서도 빠른 속도로 동작하는 것이 가능함
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행