스토리지 캐패시터와 고내압 캐패시터를 구비하는 반도체소자의 제조방법 및 그를 사용하여 제조된 반도체 소자 [Fabrication method of semiconductor device having storage capacitor and high voltage resistance capacit
페이지 정보
최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 27/04
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존속기간 만료예정일
2026-01-18
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출원번호
(출원일)10-2006-0005413
(2006.01.18) -
등록번호
(등록일)10-0771865
(2007.10.25)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 다양한 캐패시터들의 제조공정시 필요한 비용을 줄이고자 창안된 것으로, 반도체 소 자에 적용되는 캐패시터는 다양한 용도로 사용되어 전극의 종류, 유전막의 종류 및 두께 등 각각 서로 다른 사양이 요구되어 제조비용이 높음 - 따라서, 하나의 기관에 존재하는 캐패시터들을 같은 제조과정에 의해 형성될 수 있도록 하는 제 조 방법이 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 캐패시터는 공정단계의 큰 증가없이 서로 다른 전기적 조건을 만족시켜 동일층에 형 성할 수 있어 제조과정에서의 제조비용을 줄일 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행