불휘발성 메모리 장치 및 시스템 그리고 그것을 위한메모리 셀 어레이 구조 [NONVOLATILE MEMORY DEVICE, SYSTEM, AND MEMORY CELL ARRAY STRURE THEREOF]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
G11C 16/04
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존속기간 만료예정일
2026-09-29
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출원번호
(출원일)10-2006-0095901
(2006.09.29) -
등록번호
(등록일)10-0764060
(2007.09.28)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 반도체 메모리 장치의 데이터를 소거하는 방법에서 생긴 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 시스템 자체적으로 소거 및 쓰기가 자유롭지 않고, 블록 소거로 한번에 다량의 데이터를 소거 하여 주기적인 업데이트, 바이트 단위와 같이 소량의 데이터를 처리하는데 적합하지 않음 - 또한, 바이트 단위로 데이터를 소거하기 위해 바이트 단위마다 트랜지스터가 필수적으로 셀어레 이 효율이 좋지않음. 따라서, 바이트 소거 가능한 불휘발성 메모리 장치 및 메모리 셀 어레이 구조 가 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 반도체 메모리 장치는 복수 개의 바이트에 해당되는 메모리 셀들이 하나의 바이트 선 택 트랜지스터를 공유하는 구성으로 불휘발성 메모리 장치의 셀 어레이 효율을 높일 수 있고, 집 적도가 높아져 칩 사이즈를 감소시킬 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행