전류 유도 스위칭을 이용한 자기 메모리 소자 [Magnetic random access memory device using current induced switching]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 21
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존속기간 만료예정일
2026-09-01
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출원번호
(출원일)10-2006-0084240
(2006.09.01) -
등록번호
(등록일)10-0763921
(2007.09.28)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 메모리 셀의 방향을 스위칭 시키는 과정의 메모리 소자의 문제를 해결하기 위해 창안 된 것으로, 원하지 않는 셀도 스위칭되는 현상 발생, 이를 보완하기위한 방식은 스위칭에 필요한 임계 전류가 커 상용화하기 어려운 문제가 있음 - 따라서, 임계 전류 값을 낮출 수 있는 새로운 구조의 전류 유도 스위칭을 이용한 자기 메모리 소자가 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 자기 메모리 소자는 CID 방식을 이용하여 셀의 크기가 작아질수록 요구 전류가 작아 져 고밀도화에 유리하며 직사각형 구조가 아니라, 대향하는 두 변의 폭이 감소하는 구조로 메모리 스위칭에 필요한 임계 전류 값을 감소시키고 기록 신뢰성이 향상됨 - 또한, CID 메모리 소자를 형성하는 경우 기존의 반도체 소자 제조 공정을 이용하여 형성할 수 있으며 구조가 매우 간단하여 대량 생산에 유리함
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행