낮은 항복 전압을 갖는 쇼트키 다이오드 및 그 제조 방법 [Schottky diode having low breakdown voltage and method for fabricating the same]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 31/108
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존속기간 만료예정일
2026-06-01
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출원번호
(출원일)10-2006-0049293
(2006.06.01) -
등록번호
(등록일)10-0763915
(2007.09.28)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 비교적 높은 항복 전압을 갖는 쇼트키 다이오드의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것 으로, RFID 태그가 판독기에 너무 가까이 위치하면 수신된 전파신호의 크기가 일정 수준 이상으로 커져 신호의 일부가 다른 쇼트키 다이오드를 통해 바이패스 됨으로써 회로를 보호함 - 하지만, 다른 쇼트키 다이오드의 항복 전압이 높으면, 캐패시터 양단의 전압이 지나치게 높아져 회로에 유기되는 전압이 증가하여 회로의 오작동이 일어남 - 따라서, 낮은 항복 전압을 갖는 쇼트키 다이오드가 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 쇼트키 다이오드를 RFID 태그의 정류용 소자 및 고전압을 바이패스시키기 위한 바이 패스용 소자로서 사용하면, RFID 태그의 회로 내에 과도한 전압이 인가되는 것을 방지할 수 있음 - 따라서, 좀 더 신뢰성 있으며 수명이 긴 RFID 태그를 제조할 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행