메모리 소자의 다중 상태 구동 방법 [METHOD FOR DRIVING MEMORY DEVICES TO EXHIBIT MULTI-STATE]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 27/115
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존속기간 만료예정일
2025-01-20
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출원번호
(출원일)10-2005-0005444
(2005.01.20) -
등록번호
(등록일)10-1067582
(2011.09.19)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 메모리 소자의 집적도 향상을 위하여 창안된 것으로, 기존의 방법은 재현성이 적어 실용성이 없으며, 각각의 상태의 전이 및 스위칭이 순환 방식으로만 가능한 문제점이 있음 - 또한, 유기메모리층 사이에 금속 나노 클러스터를 적용한 유기 메모리 소자는 0V 전압에서 리셋 되는 현상을 보이며 나노 클러스터를 형성하는 방법이 어려워 사실상 비휘발성 메모리로 사용할 수 없는 문제점이 있음
- 기술의 효과
- - 본 발명의 메모리 소자 구동방법은 다중 펄스를 이용하여 저항의 변화를 유도함으로써 다중 상 태를 가지는 메모리로 사용할 수 있어 재현성이 뛰어나며, 낮은 에너지 펄스에 의해 복수개의 서 로 다른 저항값으로 전이시킬 수 있고 비교적 신속하게 스위칭시킬 수 있음 - 또한, 세 개 이상의 저항상태를 가져 집적도를 증가시킬 수 있으며 비휘발특성이 우수하여 비휘 발성 대용량 저장장치로 활용할 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행