다단계 기판 식각 방법 및 이를 이용하여 제조된 테라헤르츠 발진기 [Method for multi-stage substrate etching and Terahertz radiation source manufactured by this method]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
통신/네트워크
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 21/306
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존속기간 만료예정일
2027-07-25
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출원번호
(출원일)10-2007-0074593
(2007.07.25) -
등록번호
(등록일)10-1310668
(2013.09.13)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 테라헤르츠 발진기를 제작하는 공정 중 식각하여 단차 구조를 만드는 과정의 문제점 을 해결하기 위해 창안된 것으로, 기존의 방법은 원하는 깊이만큼 정확히 에칭하는 것이 어려워 T-shape 형상이 되어 바닥이 올록볼록해지며 표면 거칠기가 나빠지고 식각 속도 차이가 발생하여 식각 품질이 저하되는 문제가 있음 - 따라서, 깊은 단차에서도 에칭 품질을 향상시킬 수 있는 다단계 기판 식각 방법이 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 다단계 기판 식각 방법을 이용한 테라헤르츠 발진기는 깊은 단차에서도 에칭 바닥면 을 균일하게 할 수 있고 가장자리의 곡률 반경을 최소화하여 벽면의 T-shape 형상 등을 방지하여 에칭 품질을 향상시킬 수 있음 - 또한, 에칭 깊이를 미리 래핑이나 폴리싱을하여 조절 가능하고 상하판의 얼라인 키를 이용하여 정확하게 접합할 수 있으며 멀티 레이어 공정이 가능하여 발진기나 증폭기 구조의 정밀도와 균일 도를 얻을 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행