게르마늄 온 인슐레이터 구조 및 이를 이용한 반도체 소자 [Germanium on insulator structure and semiconductor device using the same]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 21/84
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존속기간 만료예정일
2025-05-24
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출원번호
(출원일)10-2005-0043745
(2005.05.24) -
등록번호
(등록일)10-1186291
(2012.09.20)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 온 인슐레이터 제조방법의 문제를 해결하기 위해 창안된 것으로, 기존의 공정은 버퍼 층을 형성하는 과정, 불순물에 의한 경계층을 형성하는 과정, 경계층을 분리하고 에칭 과정을 거쳐 게르마늄 층이 노출되도록 하는 과정 등 복잡한 공정을 필요로 하여 제조시 많은 시간과 비용이 소요됨 - 따라서, 간단한 공정에 의해 제조 가능한 인슐레이터 제조방법이 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 반도체 소자는 단결정 게르마늄층을 가져 상대적으로 간단한 공정에 의해 제조가 가 능한 게르마늄 온 인슐레이터 구조로 고속, 고집적도의 반도체 소자, 특히 3차원 반도체 소자를 제 조할 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행