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프로그램 및 검증 동작을 수행하는 가변 저항 메모리 장치 [RESISTANCE VARIABLE MEMORY DEVICE PERFORMING PROGRAM AND VERIFICATION OPERATION]

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최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

기술 정보
  • 기술분야

    반도체

  • 현재 권리자

    삼성전자 주식회사

  • Main IPC

    G11C 16/34

  • 존속기간 만료예정일

    2028-10-17

  • 출원번호
    (출원일)

    10-2008-0102043
    (2008.10.17)

  • 등록번호
    (등록일)

    10-1448915
    (2014.10.01)

기술개발 목적
- 본 발명의 목적은 프로그램 및 검증 동작을 수행하되, 프로그램 및 검증 시간을 줄인 가변 저항 메모리 장치를 제공하는 데 있음 - 본 발명은 프로그램 및 검증 동작을 수행하는 반도체 가변 저항 메모리 장치에 관한 것으로 전 체적인 프로그램 및 검증 동작 시 소모되는 전류의 큰 증가 없이 속도를 증가시킬 수 있음
기술의 효과
- 본 발명에 따른 가변 저항 메모리 장치에 의하면, 프로그램 및 검증 동작을 중첩적으로 실행하 므로, 프로그램 및 검증 동작에 소모되는 전류를 크게 증가시키지 않으면서 쓰기 및 검증 시간을 단축할 수 있음
적용 산업분야
반도체

*출처 : 첨단 헬로티

시장규모 및 전망
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨

*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행

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