산화아연 나노와이어의 제조방법 [Method for Manufacturing Zinc Oxide Nanowires]
페이지 정보
최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
-
-
기술분야
디스플레이
-
현재 권리자
삼성전자 주식회사
-
Main IPC
B82B 3/00
-
존속기간 만료예정일
2028-03-24
-
출원번호
(출원일)10-2008-0026871
(2008.03.24) -
등록번호
(등록일)10-1445877
(2014.09.23)
-
기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 산화 아연 나노와이어 성장 시 기판의 결정지수에 의해 성장 방향이 결정되며 비정질 기판의 경우 그 성장방향이 무작위하게 나타나는 것을 해결하기 위해 개발됨 - 본 발명은 산화아연 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로, 산화아연 나노와이어를 형성하는 방 법에서 금속 시드층 형성단계 및 금속 시드층의 전처리 단계를 포함함으로써 다양한 성장 기판 면 에 수직으로 정렬된 나노와이어를 형성할 수 있는 산화아연 나노와이어의 제조방법에 관한 것임
- 기술의 효과
- - 금속 시드층의 전처리를 통해 시드의 결정 방향을 이용하여 기판의 결정성과 무관하게 정렬된 나노와이어를 제조할 수 있어 실리콘 이외의 다양한 기판을 이용하여 정렬된 나노와이어를 합성할 수 있으므로 산화아연 나노와이어 응용 디바이스의 생산비 절감 및 성능 향상을 이룰 수 있음
- 적용 산업분야
-
반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
-
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행