발광 소자 및 그 제조 방법 [Light Emitting Device and method for manufacturing the same]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 33/38
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존속기간 만료예정일
2029-12-02
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출원번호
(출원일)10-2009-0118453
(2009.12.02) -
등록번호
(등록일)10-1662037
(2016.09.27)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 직렬 저항 및 동작 전압을 감소시키는 전극 구조를 가지는 발광 소자 및 그 제조 방 법에 관한 것임 - 발광 소자는 n형 클래드층과 활성층과 p형 클래드층을 포함하고, n형 클래드층은 복수 개의 질 화물 반도체층과, 복수 개의 질화물 반도체층 사이에 배치된 적어도 하나의 중간층과, 그 내부에 비아홀을 포함하며, 비아홀에 전극이 구비됨
- 기술의 효과
- - 본 발명에 따른 발광 소자는 직렬 저항과 동작 전압을 감소시키는 전극 구조를 구비하여 발광 효율을 증가시킴 - 발광 소자가 실리콘 기판 상에서 제작되어 생산 비용이 저렴함
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행