상변화 메모리 장치의 제조 방법[METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L-021/8247
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존속기간 만료예정일
2027-02-26
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출원번호
(출원일)10-2007-0018886
(2007-02-26)
(2007-02-26) -
등록번호
(등록일)10-1298258
(2013-08-13)
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기술분야
- 기술개발 목적
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- 상변화 메모리 장치의 크기를 감소시키기 위한 상변화 메모리 장치의 제조 방법을 제공함
- 액티브 시트 저항을 감소시켜 상변화 메모리 장치의 크기를 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 장치의 제조 방법을 제공함
- 기술의 효과
- - 상변화 메모리 장치는 매립 구조물에 인접하게 형성된 스페이서 또는 패턴을 포함함에 따라 외 부로부터 전달받은 전류는 액티브 저항이 상대적으로 낮은 스페이서 또는 패턴을 통하여 상변 화 물질층 패턴으로 전달되고, 이로 인핸 별도의 전류 전달 수단을 구비하지 않아도 전류를 효 율적으로 전달할 수 있으므로, 상변화 메모리 장치의 전체적인 크기가 감소될 수 있음
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장 하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨