커패시터리스 동적 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법[Capacitor-less Dynamic semiconductor memory device and method of operating the same]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
G11C-011/405
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존속기간 만료예정일
2026-11-24
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출원번호
(출원일)10-2006-0117007
(2006-11-24)
(2006-11-24) -
등록번호
(등록일)10-1295775
(2013-08-06)
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기술분야
- 기술개발 목적
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- 플로팅바디 트랜지스터를 가지는 커패시터리스 메모리 셀을 구비하는 커패시터리스 동적 반도 체 메모리 장치 및 이 장치의 동작 방법을 제공함
- 다수의 비트라인들이 전압감지증폭기를 공유하는 트윈셀 구조의 커패시터리스 동적 반도체 메 모리 장치 및 커패시터리스 동적 반도체 메모리 장치의 동작 방법을 제공함
- 기술의 효과
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- 커패시터리스 동적 반도체 메모리 장치는 플로팅바디 트랜지스터를 이용한 트윈셀 구조를 갖는 메모리 블록의 소정 개수의 비트라인쌍들에 대하여 공유 비트라인 전압감지 증폭기를 구비하므 로 레이아웃 면적 증가를 방지할 수 있음
- 인에이블된 워드 라인과 선택된 비트 라인사이에 연결된 메모리 셀들에 대해서만 데이터를 쓰 고 읽는 동작이 수행되기 때문에 메모리 셀들을 통하여 흐르는 전류 소모를 줄일 수 있음
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장 하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨