메모리 소자 및 이의 제조방법[Memory device and method of manufacturing the same]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L-029/78
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존속기간 만료예정일
2032-10-26
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출원번호
(출원일)10-2012-0120036
(2012-10-26)
(2012-10-26) -
등록번호
(등록일)10-1983309
(2019-05-22)
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기술분야
- 기술개발 목적
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- 고립된 보이드를 구비하는 소자 분리막을 포함하는 매립형 채널 어레이 트랜지스터(Buried cha nnel array transistor, BCAT)를 구비하는 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공함
- 보이드를 경유하는 누설경로를 방지할 수 있는 메모리 소자를 제공할 수 있음
- 기술의 효과
- - 소자분리영역의 스페이스 마진의 축소에 따라 소자분리막의 상부 및 하부에 보이드가 발생된다 할지라도 분리막에 의해 서로 단절됨에 따라, 보이드의 내부가 도전성 매립체로 채워지고 도전 성 매립체와 메모리 소자의 접속체가 접속된다 할지라도 소자분리막을 통하여 누설전류가 발생 하는 것을 방지할 수 있음
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장 하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨