이온 주입 방법[METHOD OF IMPLATATING IONS]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L-21/265
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존속기간 만료예정일
2027-11-01
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출원번호
(출원일)10-2007-0111067
(2007-11-01)
(2007-11-01) -
등록번호
(등록일)10-1344019
(2013-12-16)
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기술분야
- 기술개발 목적
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-이온 주입 공정은 반도체 웨이퍼의 특정 영역에 특정 이온들로 이루어지는 이온빔을 충돌시켜 이온을 주입하는 공정으로, 열확산 기술에 비해 특정 영역에 주입되는 이온의 수 및 주입 깊이 등을 조절 할 수 있는 장점이 있음
-기존의 이온주입공정은 포토레지스트(PR)를 이온주입 마스크로 사용하고 있으나, 고에너지 이온주입을 하는 경우 그 포토레지스트의 두께가 증가되어야 하나 종횡비 증가에 의한 패턴리닝 및 리프팅이 발생하는 문제가 있음
- 기술의 효과
- -필드영역의 고에너지 이온주입 시 하드마스크를 적용하여 종횡비 증가에 의한 패턴리닝 현상과 포토레지스트의 리프팅현상의 발생을 방지할 수 있음
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨