상변화 메모리 장치의 제조 방법[METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L-21/8247
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존속기간 만료예정일
2027-02-26
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출원번호
(출원일)10-2007-0018886
(2007-02-26)
(2007-02-26) -
등록번호
(등록일)10-1298258
(2013-08-13)
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기술분야
- 기술개발 목적
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-기존의 상변화 메모리 장치의 다이어드는 선택적 에피택시얼 성장 공정을 통하여 형성되며 다이오드의 하부에 형성된 액티브 영역에 메탈 실리사이드가 사용될 수 없어 액티브 영역은 비메탈인 불순물로 도핑되어 액티브 시트 저항이 높아 전류를 효율적으로 전달할 수 없음
-따라서, 상변화 메모리 장치는 전류를 공급하기 위한 직류 스트래핑 컨택 및 메탈라인을 더 포함하게 되는데 예를 들어, 액티브 시트 저항이 높은 경우 상변화 물질층 패턴에 전류를 충분하게 공급하기 위하여 복수 개의 다이오드마다 하나의 직류 스트래핑 컨택을 형성함
-따라서, 직류 스트래핑 컨택이 메탈 재질로 이루어져 공정 난이도가 높아지며, 부피, 비용 및 무게 등이 증가하며 전체적인 크기가 증가하는 문제가 발생함
- 기술의 효과
- -매립 구조물에 인접하게 형성된 스페이서 또는 패턴을 포함하여 외부로부터 전달받은 전류는 액티브 저항이 상대적으로 낮은 스페이서 또는 패턴을 통하여 상변화 물질층 패턴으로 전달되어 별도의 전류 전달 수단을 구비하지 않아도 되어 전체적인 크기가 감소됨
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨