커패시터리스 동적 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법[Capacitor-less Dynamic semiconductor memory device and method of operating the same]
페이지 정보
최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
-
-
기술분야
반도체
-
현재 권리자
삼성전자 주식회사
-
Main IPC
G11C-11/405
-
존속기간 만료예정일
2026-11-24
-
출원번호
(출원일)10-2006-0117007
(2006-11-24)
(2006-11-24) -
등록번호
(등록일)10-1295775
(2013-08-06)
-
기술분야
- 기술개발 목적
-
-기존의 동적 반도체 메모리 장치는 하나의 엑세스 트랜지스터와 하나의 커패시터가 하나의 단위 메모리셀을 구성하지만, 계속적인 메모리 장치의 고집적화 및 고용량화의 요구에 따라 커패시터를 가지는 단위 메모리 셀 구조는 필요한 정전용량을 확보할 수 없음
-또한, 전류 감지증폭기를 사용하여 복잡하고 민감한 회로들을 사용하며 이들을 위한 레이아웃 면적도 많이 소요되는 문제가 있음
- 기술의 효과
-
-커패시터리스 동적 반도체 메모리 장치를 이용하여 플로팅바디 트랜지스터를 이용한 트윈셀 구조를 갖는 메모리 블록의 소정 개수의 비트라인 쌍들에 대하여 공유 비트라인 전압감지 증폭기를 구비하여 레이아웃 면적 증가를 방지할 수 있음
-또한, 인에이블된 워드 라인과 선택된 비트 라인사이에 연결된 메모리셀들에 대해서만 데이터를 쓰고 읽는 동작이 수행되어 메모리 셀들을 통하여 흐르는 전류 소모를 줄일 수 있음
- 적용 산업분야
-
*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
-
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨