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고감도 센서용 반도체 소자의 제조방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

고감도 센서용 반도체 소자의 제조방법

보유기관 및 연구자 : 송창훈

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 나노 홀 패턴을 이용한 선택 성장과 Te 도핑에 의해 촉진되는 측면 성장법을 이용하여 Si(111), Ge(111) 기판 위에 대구경으로 제조되는 고감도 센서용 반도체 소자의 제조방법

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

Si(111), Ge(111) 기판 위에 III-V족 화합물 반도체(CS) 대구경 기판 제조방법에 있어서,
①전위결함 해소를 위한 디그레이딩 버퍼층 → 불필요한 박막 성장, 소스 소모량 증가
②SiO2 측벽을 이용하여 결함 트랩 혹은 Si 기판을 에칭 방식 → 추가 공정으로 번거로움

• 본 기술의 해결방안

– ①나노 홀 패턴을 이용한 선택 성장과 ②Te 도핑으로 촉진되는 측면 성장을 이용함

시장 및 기술동향: - 전 세계 화합물 반도체 시장은 2020년 약 32억만 달러에서 2025년에는 약 43.4억만
달러로 성장할 것으로 예상되며, 예측 기간동안 6.3%의 연평균 성장률(CAGR)을 기록할
것으로 전망됨
- 화합물 반도체는 RF 장비와 레이더산업, 청색광 발광다이오드(LED), 스마트폰과
노트북컴퓨터 충전기 등 다양한 분야의 시장으로 진출해 있음
- 화합물 반도체 기술은 전자소자의 고성능화, 저전력 광배선의 실현, 차세대 이미지 등
다기능 소자 개발이라는 방향성 아래 연구가 진행되고 있음

특장점