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히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법

보유기관 및 연구자 : 박경호

특허정보
히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법 (No : 10-2017-0124251)

GALLIUM NITRIDE-BASED SENSORS HAVING HEATER STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (No : US 2019/0097067 A1)

GALLIUM NITRIDE-BASED SENSORS HAVING HEATER STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (No : EP 3 460 468 B1)
거래조건 :

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 반응시간(감도)과회복시간을줄이기위해,HEMT 구조또는쇼트키(Schottky) 다이오드구조의 센서에히터층을포함한히터구조를구비한질화갈륨계센서및그제조방법
✓ 반응시간 - 검지물질이 검출대상물질을 검출하는데 필요한 시간
✓ 회복시간 - 검출대상물질이 제거된 후 센서가 원래의 상태로 돌아오는 걸리는 시간

시장 및 기술동향: - 전 세계 반도체 센서 시장의 규모는 연평균 성장률 10% 이상으로 증가하여,
2023년에는 82억 3,000만 달러에 이를 것으로 전망됨
- 극한환경에서도 안정적인 물성을 가지는 화합물반도체 기반의 센서는 다양한 외부
환경에서 높은 신뢰성을 유지하여 경제적, 산업적 측면에서 큰 파급효과를 불러일으킬
것으로 예측됨
- 질화갈륨계 센서는 가스센서 뿐만 아니라 화학센서 및 바이오센서 등 센서 산업
전반에 걸쳐 다양한 응용분야에 적용 가능한 방향으로 관련기술 개발이 진행중임

특장점

단순한센서시스템: 종래에는질화갈륨박막이성장된기판의부분제거 공정이쉽지않아제작이어려움
본기술은 이종기판에 n-GaN(or p-GaN) 에피층및 Barrier층을성장시킨후HEMT 구조, 쇼트키다이오드 구조를형성시켜제조가용이함

전력소모低: 종래기술은히터영역에서검지물질까지의거리가 멀어온도조절에많은소모전력이필요함
본기술은히터구조가센서구조바로아래에 위치하여소모전력을줄일수있음