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HEMT 유래구조를가지는고감도 압력센서와 그센서의제조방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

HEMT 유래구조를가지는고감도 압력센서와 그센서의제조방법

보유기관 및 연구자 : 고유민

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: HEMT유래구조에서이종의화합물반도체다이어프램(diaphragm)의변형에따라전하를 발생시키는 HEMT 유래구조를가지는고감도압력센서와그센서의제조방법
✓ 다이어프램(diaphragm) – 압력 검출이나 압력 변위 또는 힘을 변환하기 위한 기능

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

AlGaN 막과GaN막은HEMT 트랜지스터와 유사한HEMT 유래구조를이루어압전
효과를일으켜외부힘을전기적신호나전기적에너지로 만드는데이용되고 있음
⇒ 실리콘 기판이 큰 두께를 가질 때, 장시간의 식각으로 식각 환경을 열악하게
하며, 작은 두께를 가질 때는 식각 동안 자체에 균열을 가짐

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향: - 전세계의압력센서시장은2022년-2030년의예측기간동안4.4%의연평균복합
성장률(CAGR)로 확대되고, 2030년에는264억4,000만달러에달할것으로예측됨
- AlGaN/GaN HEMT 센서는 실리콘 기반 센서와비교할 때, 화학적 물리적으로 안정적이며
감도가 우수한 장점이있어 다양한 분야에 활용될것으로 전망됨
- HEMT는양자컴퓨터와 차세대 6G 무선통신등 다양한 분야에서 응용할수 있어 그확장성이
매우 큰기술이며 양자컴퓨터의 실용화를 앞당길 수 있는기술로 기대됨

특장점