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공핍영역을구비한 소자제작공정

페이지 정보

최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
공핍영역을구비한 소자제작공정
보유기관 및 연구자 : 전동환
  • 특허정보

    공핍영역을 구비한 소자 제작 공정 (No : 10-2014-0054308 )

  • 거래조건 :

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
공핍영역, 밴드갭층, 캐리어, 확산 저하, 결함 감소, 소형화
기술개요
소자에서기판에가까운부분에존재하는흠결층에존재하는새는전류를해결하기위하여, 기판과소자사이에도핑층을구비함으로써공핍영역을구비한화합물반도체소자
✓ 공핍영역 – 전자와 정공이 결합하여 캐리어가 소멸하고 부동전하만 남은 영역
주요 기술내용
• 종래기술의 문제점

Si 기판과 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 간의 격자 상수의 부정합과 계면 상에서
관통전위로 알려진 결정 결함 문제 해결을 위해 밴드갭층을 형성
⇒ 충분한 두께로 만들지 않으면 절연 효과가 좋지 않고, 충분한 두께로 만들면
단가가 높아지고 소형화가 어려운 단점 발생

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향
- 전세계화합물반도체시장규모는2021-2025년예측기간중6.33%의CAGR로확대되고,
115억3,000만달러의성장이전망됨
- 전 세계 FinFET 기술시장 규모는 2019년에 254억 7,000만 달러를 기록하고, 예측기간
중 48.1%의 CAGR로 성장하며, 2027년까지 5,893억 9,000만 달러에 달할 것임
- IBK투자증권은 “향후 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 전기차 시장과 RF시장 내
부가가치 확보를 위해 화합물 반도체 시장 진출은 필수적”이라고 분석함
기술활용 분야
✓ 자동차분야-ECU,ASIC등의비메모리반도체,구동장치(Actuator)에사용되는파워반도체

LED

기술활용 분야
✓ LED소재–다이오드,레이저장치,광소자,광통신,LED등

태양 전지

기술활용 분야
✓ 전자/전력 소재-태양전지,디지털 회로, 반도체 센서 등

디지털 회로

특장점
와이드밴드갭층의두께감소
도핑층의캐리어는공핍영역뿐만아니라 와이드밴드갭층이 추가적으로막아줄수 있어캐리어를막기위해존재한와이드 밴드갭층은얇은층으로도충분
단가하향可
도핑층은소자층과p-n접합층을만들어서 공핍영역이생성되어절연되므로와이드 밴드갭층생략이가능 →단가하향
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