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도펀트 확산을 이용한 반도체 소자의 제조 방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

도펀트 확산을 이용한 반도체 소자의 제조 방법

보유기관 및 연구자 : 장현철

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 버퍼층 형성 물질에 도펀트 물질을 확산하여 버퍼층을 형성함으로써 격자 상수의 부정합과 결정 결함을 해소하는 도펀트 확산을 이용한 반도체 소자의 제조 방법

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

기판 상에 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체를 성장시키는데 있어,
① 기판과 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체 간의 격자 상수의 부정합(lattice mismatch) 문제
② 계면(interface) 상에서의 관통전위(theading dislocation)로알려진 결정 결함의 문제

• 본 기술의 해결방안

- 기판과 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체의 사이에 버퍼층을 형성

시장 및 기술동향: - 전세계 반도체 시장은 2020년-2021년사이에 6.8%에서 25.6%로 증가하여 시장 규모가
5530억 달러에 이를 것으로 예상됨
- 전세계의 FinFET 기술 시장 규모는 예측기간 중 48.1%의 CAGR로 성장하고, 2027년까지
5,893억 9,000만 달러에 달할 것으로 예측됨
- 초고해상도 디스플레이를 구현하기 위한 차세대 디스플레이 소자로서 3-5(III-V)족 화합물
반도체를 활용한 마이크로 LED 소자가 핵심 소재 및 부품으로써 주목받고 있음

기술활용 분야: ✓ 메모리 분야 - DRAM, SRAM, Mask ROM, EP ROM, EEP ROM, Flash Memory
✓ 센서 분야 - 지문센서, 이미지센서, 압력센서, 호기센서, MEMS 등

지문 센서

특장점

원하는도펀트프로파일可: 사용되는도펀트물질에따라(n형or p형)을 원하는영역별로선택적도핑가능
도펀트확산시간이나, 에칭깊이를자유롭게 설정가능