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터널 전계 효과 트랜지스터 제조방법

페이지 정보

최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
터널 전계 효과 트랜지스터 제조방법
보유기관 및 연구자 : 이인근
  • 특허정보

    터널 전계 효과 트랜지스터 제조 방법 (No : 10-2016-0183009)

  • 거래조건 :

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
더미게이트, 유전체층, 오목구조, TFET, 구동전압
기술개요
드레인과 소스를 정밀하게 형성하기 위해 더미 게이트로서 유전체층을 이용하여 터널 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 방법
주요 기술내용

시장 및 기술동향
- 터널 전계효과 트랜지스터(TFET) 시장은 예측 기간 동안 CAGR 약 12%의 꾸준한
성장세를 보일 것으로 예상됨
- 낮은 구동저압의 구현은 IoT용 초저전력 반도체 소자의 핵심적인 기술이며, 이를
극복하기 위해 터널링 전계효과 트랜지스터(TFET) 연구가 활발히 이루어지고 있음
- TFET는 고분자 중합체 캡슐화 구조설계를 통해 안정성이 높고, 간단한 공정으로 설계
가능하며, 초고속 구동이 가능해 기존 트랜지스터를 완벽히 대체 가능한 소자가 될
것이라고 예상됨
기술활용 분야
✓ 센서 분야 - 바이오 센서, 반도체 센서, 가스 센서, 광센서 등

웨어러블 전자기기

기술활용 분야
✓ LED 분야 - 디스플레이, 자동차 전조등 및 조명 등

자동차 전조등

기술활용 분야
✓ 웨어러블 전자기기 - 시간 유지 기능, 상태 모니터링, 스포츠 모니터링, 의료모니터링

바이오 센서

특장점
낮은전압에도구동
하방이둥근오목구조에서게이트부분이 깔때기모양으로형성되어게이트하단에 전기장집중
TEFT제작용이
각단자를순차적으로특정함으로써, 공정중세밀한제어가필요한부분이 최소화되어TEFT 제작용이
우수기술 Gyeonggi Technology Market