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고전자이동도트랜지스터및 이의제조방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

고전자이동도트랜지스터및 이의제조방법

보유기관 및 연구자 : 이상태

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 탄소(C)가도핑된확산방지층을형성하여 InGaAs채널층의전자이동도저하를방지하고, 게이트누설전류를감소시킬수있는고전자이동도트랜지스터및이의제조방법

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

HMET 소자의2차원채널전자공급층형성을위해실리콘(Si)을 델타도핑하는
과정에서열화에의해실리콘원자가채널층으로 침투되는 상호확산현상이발생
⇒ 실리콘 원자가 채널층 내 전자와 산란하여 전자 이동도 저하

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향: - 고전자이동도트랜지스터(HEMT)의 시장규모는 2017년28억달러에서2030년까지5%의
연평균성장률(CAGR)을 보일것으로전망됨
- 최근 선진국의 초고주파 기술과관련한 HEMT의 구조와동작에 관한 연구가 활발히이루어
지고 있으며그에 따른 초고주파집적회로의 주파수 동작영역이 계속넓어지고 있음
- HEMT는양자컴퓨터와 차세대 6G 무선통신등 다양한 분야에서 응용할수 있어 그확장성이
매우 큰기술이며 양자컴퓨터의 실용화를 앞당길 수 있는기술로 기대됨

특장점

오프(OFF)전류특성향상: 채널전자공급층의계면에확산방지층을 형성하여델타도핑된실리콘(Si)확산억제 → 전자이동도감소방지, 게이트누설전류감소