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실리콘트렌치가형성된 반도체소자를제조하는방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

실리콘트렌치가형성된 반도체소자를제조하는방법

보유기관 및 연구자 : 조영대

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 실리콘기판위에‘V’자또는‘U’자형태의트렌치에칭영역을형성시켜, 결함이없는 Ⅲ-Ⅴ화합물반도체를성장시키는실리콘트렌치가형성된반도체소자를제조하는방법
✓ 트렌치 – 도랑 모양의 구조물

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

FinFET의 Si기판 상에Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체를 성장시키는데 있어, Si 기판과 Ⅲ-
Ⅴ화합물 반도체 간의 격자상수 부정합과 계면상의 결정 결함 문제 발생
⇒ 실용성 저하 및 반도체의 성능 저하

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향: - 전세계화합물반도체시장규모는2021-2025년예측기간중6.33%의CAGR로확대되고,
115억3,000만달러의성장이전망됨
- 화합물반도체는기존실리콘기반반도체보다10배이상큰전압에견딜수있어반도체가
전압에견디는능력이향상되면칩사이즈와주변회로, 방열판등부품을소형화할수있어
전력을많이소모하는IT 디바이스충전기, 5G 관련부품, 산업설비, 전기차등에다양하게탑재
- III-V화합물 반도체와 HEMT를3차원집적한 구조는 양자컴퓨터와 차세대 6G 무선통신 등
다양한 분야에서 응용할 수있어 그확장성이 매우 큰기술이며, 양자컴퓨터의 실용화를
앞당길 수있는 기술로 기대됨

기술활용 분야: ✓ 트랜지스터–FET(FieldEffectTransistor),FinFET(FinFieldEffectTransistor)

5G 이동통신

특장점