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반도체구조의제조방법및 반도체소자

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

반도체구조의제조방법및 반도체소자

보유기관 및 연구자 : 신찬수

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

멀티게이트 트랜지스터 또는 핀펫(finFET) 구조의 반도체 소자에 있어서,
①기존 결정성 실리콘 활성층을 이용한 반도체 소자는 그 성능상 물리적 한계를 갖음
②기존 화합물 반도체 활성층은 결함을 최소화하면서 단결정을 얻는 것이 어려움

• 본 기술의 해결방안

– 버퍼 층으로서 기능하는 몰드 핀 구조체들을 이용하여 실리콘 기판의 의존성을
제거하거나 최소화하면서 반도체 구조들을 형성함

시장 및 기술동향: - 전 세계 반도체 시장은 2022년 4,830억 달러에서 2029년에는 8,931억 달러로 성장할
것으로 예상되며, 예측 기간동안 9.2%의 연평균 성장률(CAGR)을 기록할 것임
- 전기 자동차(EV)를 포함한 자동차는 보조 시스템 및 전기화의 채택 증가로 인해 실리콘
전력 MOSFET에 대한 수요가 증가함
- 입체적 형상의 반도체 활성층을 이용한 멀티 게이트 트랜지스터는 스케일링이
지속될수록 평판형 FET에 비하여 성능 측면에서 더욱 주목을 받고 있음

특장점