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계단형트렌치를이용하여실리콘 기판상에대면적화합물반도체 소자를제조하는방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

계단형트렌치를이용하여실리콘 기판상에대면적화합물반도체 소자를제조하는방법

보유기관 및 연구자 : 신찬수

특허정보
계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 제조하는 방법 (No : 10-2013-0165606 )
거래조건 :

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 실리콘기판상에트랩홀에의한계단형트렌치를형성하여, 실리콘과화합물반도체층 간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는소자를제공하는트랩홀에의한 계단형트렌치를이용하여실리콘기판상에대면적반도체소자를제조하는방법

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

반도체의Si기판 상에Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체를 성장시키는데 있어, Si 기판과 Ⅲ- Ⅴ화합물 반도체 간의 격자상수 부정합과 계면상의 결정 결함 문제 발생
⇒ 실용성 저하 및 반도체의 성능 저하

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향: - 세계화합물반도체시장규모는2020년-2027년동안10.8%의연평균복합성장률(CAGR)로
성장할전망이며, 2020년483억달러에서2027년에는990억달러에달할것으로예측됨
- 전력 효율증대를 위해 화합물반도체를 활용한 전력 반도체 개발이시급한 상황이며, 국내
기업들도 이를 인지하고 있기에향후 화합물 산업생태계는 빠르게 성장할 것으로 예상됨
- Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체는 낮은설치가격, 높은에너지 효율과 신뢰성을 동시에 갖췄기때문에
이를 토대로제작된 집광형 태양광 발전기술은 향후 대규모 상업발전소를 중심으로 높은
성장이 예상됨

특장점