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SOI(001) 기판 상에 반도체 에피층 성장방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

SOI(001) 기판 상에 반도체 에피층 성장방법

보유기관 및 연구자 : 신찬수

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: SOI기판상에화살표형태의트랩핑패턴을형성하여, 실리콘과반도체층간의계면에서 발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는고품위의SOI 기판상에반도체에피층성장방법
✓ 관통전위는 결정 결함을 일으킴

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

Si 기판상에Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체를 성장시키는데 있어, Si 기판과 Ⅲ-Ⅴ
화합물반도체 간의 격자상수 부정합과 계면상의 결정 결함 문제 발생
⇒ 실용성 저하 및 반도체의 성능 저하

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향: - 전세계화합물반도체시장규모는2021-2025년예측기간중6.33%의CAGR로확대되고,
115억3,000만달러의성장이전망됨
- 실리콘기반반도체소자한계를극복하기위해실리콘보다전자이동속도가5~10배이상
빠르고전력소모량도10배이상적은화합물반도체가실리콘대체물질로각광받고있음
- 화합물 반도체에 대한 많은 연구와 투자가 이루어지고 있으며, 고전력 솔루션에 대한
수요가 증가하고 있음

특장점

결함감소: 실리콘 면이 노출된 화살표 형태의 트랩핑 패턴을 형성하여, 실리콘과 반도체층 간의 계면에서 발생하는 관통전위를 트랩시켜 결함이 없는 대면적의 반도체 소자 제공