질소면 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 분야 : 기타 개발상태 9
기술완성도
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TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
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TRL08
시작품 인증/
표준화- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
- 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
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TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
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TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
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TRL05
시제품 제작/
성능평가- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
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TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
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TRL03
연구실 규모의
성능 검증- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
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TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
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TRL01
기초 이론/
실험- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
- KEYWORD
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HMET, 결정성, 질소 분극면, 질화물 반도체, 열전도도, 고절연성
- 기술개요
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결정성 및 계면의 특성이 우수한 질소 분극면을 갖는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)를 구현하는 질소면 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
- 주요 기술내용
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- 시장 및 기술동향
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- 전세계 질화갈륨(GaN) 반도체 소자 시장 규모는 2021년 18억8000만달러로 평가,
2022년부터 2030년까지 연평균 24.4%의 복합성장률(CAGR)로 확대될 것으로 전망됨
- 질화갈륨(GaN)은 모션 컨트롤 및 로봇 공학용 서보 드라이브에 사용됨.
국제로봇연맹이 제공하는 통계에 따르면 2020년 46만5,000대에서 2022년
58만4,000대로 연간 로봇 판매량 증가가 있을 것으로 보임
- 차세대 전력반도체로 꼽히는 질화갈륨(GaN) 전력반도체가 스마트폰 고속충전기·5G
이동통신(5세대)·자동차 분야를 중심으로 연평균 70%대 성장을 기록할 것이라 전망됨
- 기술활용 분야
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✓ 블루LED 분야 - 전광판, 휴대폰 단말기 백라이트, 교통신호, 조명기구 등
✓ 전기소자 분야 - 스마트폰 고속 충전기, 엔진 발동기, AI 등
교통 신호등
- 기술활용 분야
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✓ 자동차 분야 - 전기차 인버터(전류를 직류나 교류로 전환하는 장치), 자율주행장치
프로토타입 자율주행차량 (LiDAR 시스템)
- 기술활용 분야
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✓ 통신 분야 - 5G 이동통신, 데이터 통신, 항공∙우주, 해저 통신용 광원 등
5G 이동통신
- 특장점
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- 방열성능개선
- 본 제조방법에 의해 제조된 반도체 소자는 열전도도가 우수하고 고절연성을 갖는 지지기판을 사용
누설전류 가 최소화 되어 항복전압개선
- 결정성 및 계면의 특성이 우수
- 상기 분리층으로부터 HEMT 구조체를 분리 → 질소면 극성을 가지는 HEMT 구조체를 얻을 수 있음