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질소면 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법

페이지 정보

최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
질소면 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
보유기관 및 연구자 : 김종민
  • 특허정보

    질소면 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 (No : 10-2020-0094390)

  • 거래조건 :

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
HMET, 결정성, 질소 분극면, 질화물 반도체, 열전도도, 고절연성
기술개요
결정성 및 계면의 특성이 우수한 질소 분극면을 갖는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)를 구현하는 질소면 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
주요 기술내용

시장 및 기술동향
- 전세계 질화갈륨(GaN) 반도체 소자 시장 규모는 2021년 18억8000만달러로 평가,
2022년부터 2030년까지 연평균 24.4%의 복합성장률(CAGR)로 확대될 것으로 전망됨
- 질화갈륨(GaN)은 모션 컨트롤 및 로봇 공학용 서보 드라이브에 사용됨.
국제로봇연맹이 제공하는 통계에 따르면 2020년 46만5,000대에서 2022년
58만4,000대로 연간 로봇 판매량 증가가 있을 것으로 보임
- 차세대 전력반도체로 꼽히는 질화갈륨(GaN) 전력반도체가 스마트폰 고속충전기·5G
이동통신(5세대)·자동차 분야를 중심으로 연평균 70%대 성장을 기록할 것이라 전망됨
기술활용 분야
✓ 블루LED 분야 - 전광판, 휴대폰 단말기 백라이트, 교통신호, 조명기구 등
✓ 전기소자 분야 - 스마트폰 고속 충전기, 엔진 발동기, AI 등

교통 신호등

기술활용 분야
✓ 자동차 분야 - 전기차 인버터(전류를 직류나 교류로 전환하는 장치), 자율주행장치

프로토타입 자율주행차량 (LiDAR 시스템)

기술활용 분야
✓ 통신 분야 - 5G 이동통신, 데이터 통신, 항공∙우주, 해저 통신용 광원 등

5G 이동통신

특장점
방열성능개선
본 제조방법에 의해 제조된 반도체 소자는 열전도도가 우수하고 고절연성을 갖는 지지기판을 사용
누설전류 가 최소화 되어 항복전압개선
결정성 및 계면의 특성이 우수
상기 분리층으로부터 HEMT 구조체를 분리 → 질소면 극성을 가지는 HEMT 구조체를 얻을 수 있음
우수기술 Gyeonggi Technology Market